现有研究人员及研究方向简介

梁洁 副教授

邮箱：liangjieclair@shu.edu.cn

个人简介：

从事超越摩尔的先进微纳电子材料、器件、片上先进互连应用的研究，基于SOI的射频器件的研究，可穿戴柔性器件及生物信号放大电路设计，健康监测与检测传感器及系统等研究。在相关领域发表IEDM、Symp. VLSI、TED、EDL、JEDS等40余篇，申请专利10余项，获得欧盟授权专利2项。主持国家自然科学基金1项。博士期间连续3年参与2项大型欧盟地平线计划H2020项目。2022年3月入选上海市海外高层次人才引进计划。

招收微电子、电子信息、应用物理、材料工程、机械工程等相关专业背景的硕士生。

研究方向：

1.先进微纳电子器件物理建模与电路设计（可重构器件、SOI射频器件）；

2.先进片上互连建模与应用（碳基互连、TSV、背部供电）；

3.健康监测与检测传感器及系统（柔性传感、汗液传感、微针诊疗一体化）。

教育背景：

2019年博士毕业于法国蒙彼利埃大学微电子学专业

2016年硕士毕业于巴黎大学量子器件学专业

2014年本科毕业于巴黎大学物理学专业

工作经历：

2022年3月-至今 上海大学 副教授，硕士生导师

2021年3月-2022年3月 上海大学 讲师、特聘副教授，硕士生导师

2019年8月-2020年12月 新加坡国立大学 博士后

科研成果及获奖情况：

在相关领域发表SCI、EI论文40余篇，申请专利10余项，获得欧盟授权专利2项。主持国家自然科学基金1项。

荣获第八届全国大学生集成电路创新创业大赛优秀指导教师、上海大学第十四届“自强杯”大学生课外学术科技作品竞赛优秀指导教师、2023年上海大学暑期社会实践优秀指导教师、2022年上海大学国际化工作先进个人。

代表性成果：

1.Baohui Xu; Rongmei Chen; Jiuren Zhou; Jie Liang*; A Modeling Study on Electrical and Thermal Behavior of CNT TSV for Multilayer Structure, [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(9): 4779-4785

2.Baohui Xu; Rongmei Chen; Jiuren Zhou; Jie Liang*; A Modeling Study of Stacked Cu-CNT TSV on Electrical, Thermal, and Reliability Analysis, [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 71(1): 184-191

3.Zhenbang Chu; Baohui Xu; Jie Liang*; Direct Application of Carbon Nanotubes (CNTs) Grown by Chemical Vapor Deposition (CVD) for Integrated Circuits (ICs) Interconnection: Challenges and Developments, [J]. Nanomaterials, 2023, 13(20)

4.Liang J, Sun C, Xu H, et al. Strained Silicon-on-Insulator Platform for Co-Integration of Logic and RF—Part II: Comb-Like Device Architecture [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(4): 1769-75.

5.Xu B, Chen R, Zhou J, and Liang J*. Recent Progress and Challenges Regarding Carbon Nanotube On-Chip Interconnects [J]. Micromachines, 2022, 13(7): 1148.

6.S. Chen#, J. Liang#, et al. and G. Xiao*, " Enabling UTBB Strained SOI Platform for Co-integration of Logic and RF: Implant-Induced Strain Relaxation and Comb-like Device Architecture,” in Symp. on VLSI Tech. 2020 (VLSI 2020), USA, Jun. 14-19, 2020.

7.J. Liang and A. Todri-Sanial, "Importance of Interconnects: A Technology System-Level Design Perspective,” will be presented in IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, December 2019. (Invited paper)

8.J. Liang, et al. and A. Todri-Sanial, “Investigation of Pt-Salt Doped Stand-Alone Multi-Wall Carbon Nanotubes for On-Chip Interconnect Applications,” IEEE Transactions on Electron Devices, 2019. doi: 10.1109/TED.2019.2901658.

9.J. Liang, et al., “Atomistic to Circuit-Level Modeling of Doped SWCNT for On-Chip Interconnects,” IEEE Transactions on Nanotechnology, 2018, doi: 10.1109/TNANO.2018.2802320.

10.J. Liang, et al., "A Physics-Based Investigation of Pt-Salt Doped Carbon Nanotubes for Local Interconnects,” in IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, December 2017, pp. 35.5.1-35.5.4. doi: 10.1109/IEDM.2017.8268502.